芯盟科技申请感测放大器及其操作方法、存储器专利,提升信号处理能力
金融界2025年4月17日消息,国家知识产权局信息显示,芯盟科技有限公司申请一项名为“感测放大器及其操作方法、存储器”的专利,公开号 CN 119832947 A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本公开提供一种感测放大器及其操作方法、存储器。该感测放大器包括:感测放大电路,包括第一节点、第二节点、第三节点和第四节点,被配置为处于放大阶段时,进行信号放大处理;偏移消除电路,耦接至第一节点和第二节点,被配置为处于偏移消除阶段时,进行偏移消除处理;第一控制电路,耦接至第三节点,被配置为处于偏移消除阶段时,控制第三节点和第一电压节点之间的连接状态,以及在第三节点耦接至第一电压节点时,利用第一控制电路中的电流源控制偏移消除阶段的电流;第二控制电路,耦接至第四节点,被配置为在处于偏移消除阶段时,控制第四节点和第二电压节点之间的连接状态;其中,第一电压节点的电压小于第二电压节点的电压。
天眼查资料显示,芯盟科技有限公司,成立于2018年,位于嘉兴市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本22534.2876万人民币。通过天眼查大数据分析,芯盟科技有限公司共对外投资了6家企业,财产线索方面有商标信息36条,专利信息262条,此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自金融界
芯盟科技申请动态随机存取存储架构及其形成方法专利,有效提升晶体管的性能
金融界2025年4月22日消息,国家知识产权局信息显示,芯盟科技有限公司申请一项名为“动态随机存取存储架构及其形成方法”的专利,公开号CN119855150A,申请日期为2025年1月。
专利摘要显示,一种动态随机存取存储架构及其形成方法,其中形成方法包括:形成衬底,衬底具有相对的第一面和第二面,衬底包括若干有源区,有源区包括若干字线区;在每个字线区内形成字线栅沟槽;在每个字线栅沟槽内形成2个相互分立的字线栅结构;在第一面上形成若干位线层;自第二面向第一面对衬底进行源漏离子的注入处理,在每个有源区内形成第二源漏掺杂层;在第二面上形成若干电容结构。通过将形成电容结构的制程放在最后,能够保证在形成电容结构之前的制程过程中正常采用高温工艺,而不会对电容结构造成损伤。第二源漏掺杂层通过自第二面向第一面进行源漏离子的注入形成,能够有效提升第二源漏掺杂层内源漏离子的分布均匀性,进而有效提升晶体管的性能。
天眼查资料显示,芯盟科技有限公司,成立于2018年,位于嘉兴市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本22534.2876万人民币。通过天眼查大数据分析,芯盟科技有限公司共对外投资了6家企业,财产线索方面有商标信息36条,专利信息265条,此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自金融界
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